在布里淵區(qū)的邊界,能量是不連續(xù)的。對于三維晶體,k空間是三維的，在k的不同方向上,布里淵區(qū)的邊界具有不同的k值及相應(yīng)的能量。

兩個相鄰布里淵區(qū)之間的能量關(guān)系可以出現(xiàn)兩種情況:若第一布里淵區(qū)所有方向的能態(tài)的最高能量均低于第二布里淵區(qū)所有方向的能態(tài)的最低能量，則存在禁帶,電子在k空間先填滿第一布里淵區(qū),再填充第二布里淵區(qū)。其能態(tài)密度曲線具有如圖2-8(a)所示的形狀。由圖2-7可見，在接近布里淵區(qū)的邊界,能量E增加變慢,因此能態(tài)密度增高較快。當(dāng)電子填充到最低能量的布里淵區(qū)邊界時,能態(tài)密度達到最高值。此后,只有部分方向的k位于布里淵區(qū)內(nèi),因此能態(tài)密度降低,直到布里淵區(qū)完全填滿,能態(tài)密度降為零。然后電子將填充第二布里淵區(qū),并伴隨著電子能量由第一布里淵區(qū)最高能量到第二布里淵區(qū)最低能量的跳躍。如果在不同k方向的布里淵區(qū)的邊界值中,出現(xiàn)第一布里淵區(qū)的某些最高能量低于第二布里淵區(qū)的某些最低能量,則發(fā)生布里淵區(qū)的重疊。其能態(tài)密度如圖2- 8(b)所示。電子在填充到第一布里淵區(qū)的最高能量之前,就進人第二布里淵區(qū)，繼續(xù)填充第一布里淵區(qū)的剩余能態(tài)和第二布里淵區(qū)的低能狀態(tài)。

形成部分充滿的布里湖區(qū)有兩種途徑:電子數(shù)目不足以填滿布里淵區(qū),或布里淵區(qū)發(fā)生重疊。在電的良導(dǎo)體中存在布里淵區(qū)重疊的情形;絕緣體則第一布里淵區(qū)全部充滿，并且不與第二布里淵區(qū)重疊,相鄰兩個布里淵區(qū)之間能隙寬度較寬。半導(dǎo)體的布里淵區(qū)結(jié)構(gòu)與絕緣體相似,但相鄰兩個布里淵區(qū)之間能隙寬度較窄。

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